下载包括场效应晶体管的半导体器件及其操作方法的技术资料

文档序号:3195523

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本发明特别涉及一种具有漏极延展部(8)的横向DMOST。在公知的晶体管中,另一金属条(20)设置在栅电极接触条与漏极接触(16)之间,该漏极接触电连接于源极区接触(15)。在这里所提出的器件中,在另一金属条(20)与源极接触(15、12)之...
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