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包括场效应晶体管的半导体器件及其操作方法技术
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文档序号:3195523
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本发明特别涉及一种具有漏极延展部(8)的横向DMOST。在公知的晶体管中,另一金属条(20)设置在栅电极接触条与漏极接触(16)之间,该漏极接触电连接于源极区接触(15)。在这里所提出的器件中,在另一金属条(20)与源极接触(15、12)之...
该专利属于DSP集团瑞士股份公司所有,仅供学习研究参考,未经过DSP集团瑞士股份公司授权不得商用。
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