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一种半导体器件包括栅电极（１）和栅绝缘层（２），两个都被间隔物（３）围绕且制造在由第一半导体材料制成的衬底（１００）的表面（Ｓ）上。该器件还包括源区（４）和漏区（５），两个都分别位于栅电极（１）两个相对侧上的衬底表面的下方。源区和漏区每个都...
该专利属于NXP股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过NXP股份有限公司授权不得商用。

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