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一种制作至少一个半导体器件的方法，它包括下列步骤：提供一个铝酸锂（ＬｉＡｌＯ↓［２］）的牺牲性生长衬底；邻近牺牲性生长衬底形成至少一个包括Ⅲ族氮化物的半导体层；将安装衬底与牺牲性生长衬底相反地固定到至少一个半导体层附近；以及清除牺牲性生长衬...
该专利属于克利斯托光子学公司所有，仅供学习研究参考，未经过克利斯托光子学公司授权不得商用。

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