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一种半导体器件制造方法，包括：在半导体衬底１０上方形成第一多孔绝缘膜３８的步骤；形成第二绝缘膜４０的步骤，该第二绝缘膜的密度比该第一多孔绝缘膜３８的密度更大；以及利用存在的该第二绝缘膜４０将电子束、ＵＶ射线或者等离子体施加至该第一多孔绝缘膜...
该专利属于富士通株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过富士通株式会社授权不得商用。

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