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MRAM体系结构和利用所述体系结构来制备MRAM存储器的方法和系统技术方案
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文档序号:3194910
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本发明公开了一种用于提供磁存储器中的磁存储器单元的方法和系统。所述方法和系统包括提供每个磁存储器元件,为每个磁存储器元件提供第一写入线和第二写入线。磁存储器元件具有顶部和底部。第一写入线在磁存储器元件之下并且与磁存储器元件的底部电连接。第二...
该专利属于磁旋科技公司所有,仅供学习研究参考,未经过磁旋科技公司授权不得商用。
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