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提供一种一方面可抑制制造工艺的增加及制造成本增长，另一方面制造条件的控制不会变得困难、且形成超过曝光界限这样的细小尺寸的蚀刻结构的方法；在以薄膜晶体管等半导体装置中的接触孔为代表的、通过蚀刻形成的结构的形成方法及利用该方法的显示装置的制造方...
该专利属于NEC液晶技术株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过NEC液晶技术株式会社授权不得商用。

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