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已公开的参数确定的半导体复合结构单一功能地工作。为了在同时最大的一致性下实现更大的灵活性，根据本发明的参数确定的半导体复合结构（ＴＥＭＰＯＳ）具有作为掺杂沟道的纳米级的孔隙（ＶＰ）以及在由电绝缘的材料构成的层（ＥＩＬ）的表面上的孔隙（ＶＰ）...
该专利属于哈恩-迈特纳研究所柏林有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过哈恩-迈特纳研究所柏林有限公司授权不得商用。

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