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深次微米半导体器件中致命缺陷的确认方法，包括：步骤Ｓ１０１，用ＴＥＭ定性定位检测半导体器件样品，确定半导体器件检测样品中是否存在硅晶体缺陷／位错缺陷，并确定缺陷的类型。步骤Ｓ１０２，如果半导体器件中存在缺陷，样品用本发明的扫描电子显微镜（Ｓ...
该专利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造(上海)有限公司授权不得商用。

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