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在薄膜晶体管（１）中，在绝缘性基板（２）上的栅电极（３）上，经由栅极绝缘层（４）层叠半导体层（５），在其上面形成源电极（５）和漏电极（７），进而形成将其上面覆盖的保护层（８），使半导体层（５）与气氛隔离。半导体层（５）（活性层）采用例如添加...该专利属于夏普株式会社;大野英男;川崎雅司所有，仅供学习研究参考，未经过夏普株式会社;大野英男;川崎雅司授权不得商用。
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