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一种半导体器件，包括超晶格，所述超晶格又包括多个堆叠的层组。该器件还包括引起载流子在相对于堆叠层组平行的方向上通过超晶格输送的区域。每组超晶格可以包括多个堆叠的基本半导体单层，其定义了基本半导体部分及其上面的能带修改层。另外，所述能带修改层...
该专利属于梅尔斯科技公司所有，仅供学习研究参考，未经过梅尔斯科技公司授权不得商用。

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