温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明属于光电子器件领域。传统结构光提取效率低，热可靠性差，绝缘层一次生长完成，易造成ＰＮ结漏电。结构包括：Ｐ电极加厚电极（１），高反镜保护层（２），金属高反镜（３），Ｎ电极（４），Ｎ型半导体（５），多量子阱有源区ＭＱＷ（６），Ｐ型半导体（...
该专利属于北京工业大学所有，仅供学习研究参考，未经过北京工业大学授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。