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公开了一种ＣＭＯＳ图像传感器和用于制造该器件的方法，所述传感器和方法通过降低暗信号来改善信号效能，其包括：第一导电型基片，包括图像区和电路区；在所述基片中用于所述电路区内的电隔离的ＳＴＩ隔离层；和在所述基片中用于所述图像区内的电隔离的场氧化...
该专利属于东部亚南半导体株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过东部亚南半导体株式会社授权不得商用。

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