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本发明涉及制造外延生长层（６）的方法。该方法的显著之处在于其包括下列步骤：ａ）在支撑衬底（１）中注入原子种类以在其中划定弱区（１２），该弱区（１２）将薄支撑层（１３）从所述衬底的剩余部分（１１）划分开；ｂ）通过直接在所述薄支撑层（１３）上或...该专利属于S.O.I.TEC绝缘体上硅技术公司所有，仅供学习研究参考，未经过S.O.I.TEC绝缘体上硅技术公司授权不得商用。
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本发明涉及制造外延生长层（６）的方法。该方法的显著之处在于其包括下列步骤：ａ）在支撑衬底（１）中注入原子种类以在其中划定弱区（１２），该弱区（１２）将薄支撑层（１３）从所述衬底的剩余部分（１１）划分开；ｂ）通过直接在所述薄支撑层（１３）上或...