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本发明提供了ＳＯＩ　　ＣＭＯＳ技术，利用该技术将多晶硅后栅极用于控制前栅极器件的阈值电压，并且ｎＭＯＳ和ｐＭＯＳ后栅极彼此和与所述前栅极无关地切换。具体地说，本发明提供了一种制造后栅极型完全耗尽的ＣＭＯＳ器件的方法，其中所述器件的后栅极与所...
该专利属于国际商业机器公司所有，仅供学习研究参考，未经过国际商业机器公司授权不得商用。

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