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高耐热半导体装置制造方法及图纸
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下载高耐热半导体装置的技术资料
文档序号:3192872
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在150℃以上的高温中使用的SiC等宽禁带半导体装置中,为了改善半导体元件的绝缘性,得到高耐电压的宽禁带半导体装置,而采用合成高分子化合物来覆盖宽禁带半导体元件的外表面,这种合成高分子化合物通过附加反应生成的共价键使有机硅聚合物C彼此之间连...
该专利属于关西电力株式会社所有,仅供学习研究参考,未经过关西电力株式会社授权不得商用。
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