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按照本发明的第一方面，涉及一种用于制造衬底的方法，该衬底包括半导体材料的薄层和支撑衬底，通过将具有第一密度的空位团的施主衬底的一部分转移到支撑衬底上而形成所述的薄层，其特征在于：该方法包括：在将施主衬底的所述部分转移到支撑衬底之后，补救存在...
该专利属于S.O.I.TEC绝缘体上硅技术公司所有，仅供学习研究参考，未经过S.O.I.TEC绝缘体上硅技术公司授权不得商用。

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