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本发明提供一种氧化物铁电存储单元，用成本低、抗氧化性强、无氧通道的金属间化合物材料作为导电氧扩散阻挡层以替代Ｉｒ（Ｐｔ）阻挡层，通过选择磁控溅射工艺参数实现阻挡层及相关氧化物电极的制备。这种氧化物铁电存储单元，由硅衬底、导电阻挡层、氧化物下...
该专利属于河北大学所有，仅供学习研究参考，未经过河北大学授权不得商用。

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