温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

一种用于由施予晶片来生成选自半导体材料的材料薄层的方法，包括下列连续的步骤：（ａ）以和薄层厚度基本上一致的深度在晶片内其第一表面之下形成第一弱化区，（ｂ）在第一弱化区的表面（ｌｅｖｅｌ）上从晶片上分离第一薄层，该第一薄层作为晶片的一部分，位...
该专利属于S.O.I.TEC绝缘体上硅技术公司所有，仅供学习研究参考，未经过S.O.I.TEC绝缘体上硅技术公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。