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碳化硅半导体器件。一种半导体器件，包括：绝缘膜；第一半导体层，其具有第一导电型４Ｈ－ＳｉＣ的第一主要成分；以及第二半导体层，其具有第二导电型４Ｈ－ＳｉＣ的第二主要成分。所述第二半导体层具有与所述第一半导体层的ｐｎ结。该ｐｎ结具有结边缘。所述...
该专利属于新电元工业株式会社;本田技研工业株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过新电元工业株式会社;本田技研工业株式会社授权不得商用。

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