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半导体装置包括：在硅衬底１上形成的绝缘膜６，在绝缘膜６中形成的埋入金属布线８，以及在绝缘膜６与金属布线８之间形成的金属阻挡膜７。金属阻挡膜是金属化合物膜，金属化合物膜包含构成绝缘膜６的元素中的至少１个。...
该专利属于松下电器产业株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过松下电器产业株式会社授权不得商用。

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