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本发明揭示垂直结构的非极化的氮化镓基器件（包括氮化镓基ＬＥＤ）及生产方法。一个实施实例如下：反射／欧姆／应力缓冲层层叠在导电的支持衬底和非极化的氮化镓基外延层之间。生产方法的主要工艺步骤如下：在生长衬底上，依次生长中间媒介层（或晶核层）、非...
该专利属于金芃;彭晖所有，仅供学习研究参考，未经过金芃;彭晖授权不得商用。

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