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非挥发性存储器器件结构制造技术
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文档序号:3191835
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本发明提供一种非挥发性存储器器件结构,属于半导体集成电路器件设计及制造技术领域。该结构包括位于衬底之上隧穿氧化层、位于隧穿氧化层之上的衬底阻挡层、位于衬底阻挡层之上的陷阱电荷存储层、位于陷阱电荷存储层之上的栅阻挡层以及位于最顶层的栅电极,其...
该专利属于北京大学深圳研究生院所有,仅供学习研究参考,未经过北京大学深圳研究生院授权不得商用。
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