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本发明涉及一种用于消除晶片上缺陷的影响的方法，所述缺陷由与硅晶片的表面相邻的空腔引起，本发明所基于的任务在于，提供一种用于消除晶片上缺陷的影响的方法，利用该方法可实现防止薄的位置处的栅氧化层击穿和制造时的成本降低。根据本发明，该任务由此来解...
该专利属于英飞凌科技股份公司所有，仅供学习研究参考，未经过英飞凌科技股份公司授权不得商用。

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