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薄膜晶体管及其制造方法技术
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文档序号:3191579
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本发明提供了一种薄膜晶体管(TFT)和制造该TFT的方法,其中,简化了制造工艺并且减小了对栅极绝缘层的损坏。制造该TFT的方法包括:在基底上形成至少一个缓冲层;在缓冲层上形成第一半导体层,通过在第一半导体层上沉积用掺杂剂掺杂的半导体来形成第...
该专利属于三星移动显示器株式会社所有,仅供学习研究参考,未经过三星移动显示器株式会社授权不得商用。
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