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本发明属集成电路制备工艺技术领域，具体为一种使用双层光敏感材料和单层光敏感材料相互组合，使用分步制造通孔和金属导线槽的技术，利用大马士革工艺制造集成电路的方法。大马士革工艺是一种新兴的金属布线技术，该技术存在较为突出的是通孔填充问题。本发明...该专利属于上海集成电路研发中心有限公司;上海华虹(集团)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海集成电路研发中心有限公司;上海华虹(集团)有限公司授权不得商用。