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本发明涉及一种SiC/SiC陶瓷复合叶身构件制备方法，具体涉及一种带有微小扰流柱降温缝隙的SiC/SiC陶瓷复合叶身构件制备方法，其目的是解决现有SiC/SiC陶瓷复合叶身类构件存在出气孔加工难度较大，难以通过调整出气孔的尺寸实现叶身类构件...
该专利属于西安鑫垚陶瓷复合材料有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过西安鑫垚陶瓷复合材料有限公司授权不得商用。

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