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本发明提供一种制备包含支撑衬底（２０）上的半导体材料薄层（２”）的结构的方法，所述薄层（２”）是由包含半导体材料上层（２）的施予衬底（１０）而获得，所述方法的特征在于其包括：在所述上层（２）上形成键合层（３），所述键合层（３）的材料接受上层...该专利属于S.O.I.TEC绝缘体上硅技术公司所有，仅供学习研究参考，未经过S.O.I.TEC绝缘体上硅技术公司授权不得商用。
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本发明提供一种制备包含支撑衬底（２０）上的半导体材料薄层（２”）的结构的方法，所述薄层（２”）是由包含半导体材料上层（２）的施予衬底（１０）而获得，所述方法的特征在于其包括：在所述上层（２）上形成键合层（３），所述键合层（３）的材料接受上层...