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本发明提供一种制造掺杂氮的介电层的方法。根据该方法，先于半导体基底上形成一介电层后，对该介电层进行两阶段的氮化工艺，接着进行一到两阶段的退火工艺。由于利用该方法所形成的介电层中的氮分布较为均匀，因此该介电层具有较优越的电性。...
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