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一种用于在通过聚焦辐射（５２）的熔丝体删除期间保护电结构（２５）的结构和相关方法。所述结构（１）包括熔丝元件（２）、保护板（１０）、第一介质层（１４），以及第二介质层（４）。结构（１）在半导体装置（５）中形成。保护板（１０）利用镶嵌工艺在第...
该专利属于国际商业机器公司所有，仅供学习研究参考，未经过国际商业机器公司授权不得商用。

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