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本发明提供一种制作铜双镶嵌结构的方法。首先提供一半导体衬底，其上包含有一双镶嵌孔洞设于一介电层中，且部分半导体衬底暴露于该孔洞底部，接着进行一物理气相沉积工艺于双镶嵌孔洞内形成一衬底保护层，再进行一原子化学气相沉积于衬底保护层上形成一氮化钽...
该专利属于联华电子股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过联华电子股份有限公司授权不得商用。

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