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本发明的目的在于提供一种以低的成本制造具有高可靠性的半导体器件的方法，其中从衬底剥离具有提供于衬底上方的薄膜晶体管等的元件形成层，以便制造半导体器件。根据本发明，在衬底上方形成金属膜，在一氧化二氮的气氛下对金属膜进行等离子体处理以在金属膜的...
该专利属于株式会社半导体能源研究所所有，仅供学习研究参考，未经过株式会社半导体能源研究所授权不得商用。

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