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本发明提供一种金属栅极结构及其形成方法，方法包括：提供一衬底，在衬底上自下而上依次形成栅介质层、功函数层；在功函数层上沉积一层或多层顶部阻挡层，该顶部阻挡层包括自下而上堆叠的氮化钛层与氮化钽层；在顶部阻挡层上形成金属栅。本发明利用多层顶层阻...
该专利属于上海华力集成电路制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华力集成电路制造有限公司授权不得商用。

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