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公开了在基材上沉积陶瓷薄膜、特别是碳化硅薄膜的方法，其中残余应力、残余应力梯度和电阻率得到控制。还公开了具有沉积的薄膜的基材，所述薄膜具有这些控制的性能，还公开了含有具有薄膜的基材的装置、特别是ＭＥＭＳ和ＮＥＭＳ装置，所述薄膜具有这些性能。...
该专利属于卡斯西部储备大学所有，仅供学习研究参考，未经过卡斯西部储备大学授权不得商用。

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