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在一个实施方案中，横向ＦＥＴ单元被形成在半导体材料本体中。此横向ＦＥＴ单元包括形成在漏接触与本体区之间的漂移区中的超结结构。此超结结构包括多个分隔开的填充的沟槽，这些填充的沟槽具有环绕沟槽的相反或交替的导电类型的掺杂区。...
该专利属于半导体元件工业有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过半导体元件工业有限责任公司授权不得商用。

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