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本发明提供一种用于连续侧向结晶的掩膜及用掩膜结晶非晶硅层的方法，所述掩膜包括至少一横向延伸的第一狭缝、至少一横向延伸的第二狭缝、至少一横向延伸的第三狭缝与至少一横向延伸的第四狭缝。其中，第二狭缝位于第一狭缝的延伸方向，并且，第一狭缝的宽度大...
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