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本发明专注于与Ｓｉ　　ＣＭＯＳ技术兼容的高速、高效率光电探测器的制造问题。该结构包括薄ＳＯＩ衬底上的Ｇｅ吸收层，并利用了隔离区域，交替ｎ型和ｐ型接触，以及低电阻表面电极。该器件通过利用掩埋绝缘层以隔离在下面的衬底中产生的载流子获得高带宽，通...
该专利属于国际商业机器公司所有，仅供学习研究参考，未经过国际商业机器公司授权不得商用。

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