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本发明涉及一种用于形成碳纳米管场效应晶体管、碳纳米管场效应晶体管的阵列的方法，以及该方法形成的器件结构和器件结构的阵列。该方法包括形成堆叠结构，该堆叠结构包括栅极电极层和催化剂垫，该催化剂垫每个与源极／漏极接触电耦接。该栅极电极层分为多个栅...
该专利属于国际商业机器公司所有，仅供学习研究参考，未经过国际商业机器公司授权不得商用。

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