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本发明是揭露一种制作应变硅晶体管的方法，该方法包括下列步骤：首先提供一半导体衬底，且该半导体衬底上包括至少一栅极结构。然后进行一蚀刻工艺，以于该栅极结构相对两侧的该半导体衬底中形成二凹槽，并对该半导体衬底进行一氧气冲洗（Ｏ↓［２］ｆｌｕｓｈ...
该专利属于联华电子股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过联华电子股份有限公司授权不得商用。

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