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该ｐｎ结化合物半导体发光器件包括：结晶衬底；ｎ型发光层，由六角ｎ型Ⅲ族氮化物半导体形成，并设置在所述结晶衬底上；ｐ型Ⅲ族氮化物半导体层，由六角ｐ型Ⅲ族氮化物半导体形成，并设置在所述ｎ型发光层上；ｐ型磷化硼基半导体层，具有闪锌矿晶体类型，并设...
该专利属于昭和电工株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过昭和电工株式会社授权不得商用。

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