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根据本发明的用于制造高光提取光子器件的方法的一实施例包括：在基板上生长剥离层以及在该剥离层上生长外延半导体器件结构，使得该剥离层夹于该器件结构与基板之间。该外延半导体结构包含适用于响应于偏压而发光的发射极。将该器件结构、剥离层及基板用倒装芯...
该专利属于美商克立股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过美商克立股份有限公司授权不得商用。

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