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获得高集成度的半导体器件制造技术
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下载获得高集成度的半导体器件的技术资料
文档序号:3187047
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一种半导体器件,包括衬底(8)、第一布线层(56、66)和结合布线层(10、10A)。在衬底(8)上,形成半导体元件。第一布线层(56、66)层叠在衬底(8)上。结合布线层(10、10A)是可结合的并且层叠在第一布线层(56、66)上。第一...
该专利属于恩益禧电子股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过恩益禧电子股份有限公司授权不得商用。
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