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光电二极管及其制造方法技术
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文档序号:3186671
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本发明涉及一种肖特基光电二极管,其包括半导体层和配置为接触半导体层的导电膜。导电膜具有小孔和配置在所述小孔周围的周期性结构,用于借助膜表面的入射光通过导电膜的膜表面中受激发的表面等离子体激元产生共振状态。光电二极管探测由受激的表面等离子体激...
该专利属于日本电气株式会社所有,仅供学习研究参考,未经过日本电气株式会社授权不得商用。
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