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本发明属于纳米光电材料技术领域，具体为一种电子束蒸发制备硅纳米晶的方法。传统的硅纳米晶的制备方法包括电化学腐蚀法、离子注入法、溅射法、化学气相沉积法，以及热蒸发法等。本发明采用电子束蒸发生长ＳｉＯ↓［ｘ］／ＳｉＯ↓［２］（１＜ｘ＜２）超晶格...
该专利属于复旦大学所有，仅供学习研究参考，未经过复旦大学授权不得商用。

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