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本发明提供一种半导体器件及其形成方法，其中单轴应变在半导体器件的器件沟道中产生。单轴应变可能处于拉伸或处于压缩并且在与器件沟道平行的方向上。单轴应变可以由应变引发衬垫、应变引发阱或其组合在双轴应变衬底表面中产生。单轴应变可以由应变引发阱和应...
该专利属于国际商业机器公司所有，仅供学习研究参考，未经过国际商业机器公司授权不得商用。

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