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本发明提供一种结构及其形成方法。该结构包括（ａ）包括在第一和第二Ｓ／Ｄ区之间设置的沟道区的半导体层；（ｂ）在沟道区上的栅极电介质区；（ｃ）在栅极电介质区上并通过栅极电介质区与沟道区电绝缘的栅极区；和（ｄ）在栅极区上的保护伞状区，其中保护伞状...
该专利属于国际商业机器公司所有，仅供学习研究参考，未经过国际商业机器公司授权不得商用。

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