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一种相变存储元件，包括基底、下电极、第一、第二、第三介电层、杯状加热电极、上电极以及相变材料间隙壁。其中，下电极形成于基底内。第一介电层位于基底上，且其中有与下电极相接触的杯状加热电极。条状的第二与第三介电层分别以不同方向排列于基底上，其中...
该专利属于财团法人工业技术研究院所有，仅供学习研究参考，未经过财团法人工业技术研究院授权不得商用。

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