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本发明提供一种形成半导体器件的金属线和薄膜的方法。该形成半导体器件的薄膜的方法包括步骤：在半导体衬底上形成ＴａＮ膜；以及通过使该ＴａＮ膜与ＮＯ↓［２］反应，将该ＴａＮ膜的一部分转化成Ｔａ膜。该Ｔａ膜形成为厚度约为该ＴａＮ膜厚度的一半。...
该专利属于东部电子股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过东部电子股份有限公司授权不得商用。

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