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提供互连的提高的迁移电阻并抑制硅扩散到互连的内部。一种半导体器件包括：硅衬底，提供在硅衬底上并由ＳｉＣＮ膜、ＳｉＯＣ膜和ＳｉＯ↓［２］膜组成的第一绝缘膜，和提供在第一绝缘膜中并且基本由含铜的金属组成的第一铜互连。掺杂有注入硅的Ｓｉ－Ｏ不均匀...
该专利属于恩益禧电子股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过恩益禧电子股份有限公司授权不得商用。

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