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本发明涉及在低ｋ材料上沉积氮化钽（ＴａＮ）扩散阻挡区域的方法。该方法包括在腔中通过进行等离子体增强原子层沉积（ＰＥ－ＡＬＤ）在低ｋ材料衬底（１０２）上从钽基前体和氮等离子体形成保护层（１０４）。保护层（１０４）具有比其钽含量大的氮含量。然后...
该专利属于国际商业机器公司所有，仅供学习研究参考，未经过国际商业机器公司授权不得商用。

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