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本发明公开了一种具有ＦＥＴ像素阵列的成像传感器以及形成该成像传感器的方法。每个像素是半导体岛，例如在绝缘体上硅（ＳＯＩ）晶片上的Ｎ型硅。在一个光电二极管电极例如Ｐ阱阴极中形成ＦＥＴ。可以将滤色器附着到岛的相对表面。将保护层（例如玻璃或石英）...
该专利属于国际商业机器公司所有，仅供学习研究参考，未经过国际商业机器公司授权不得商用。

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